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FET

  FET即Field Effect Transistor,译为场效应晶体管,也叫场效应管,是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)。有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极。
FET

FET的原理简述

  现在越来越多的电子电路都在使用场效应管, 特别是在音响领域更是如此, 场效应管晶体管不同, 它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件) , 其特性更象电子管, 它具有很高的输入阻抗, 较大的功率增益, 由于是电压控制器件所以噪声小, 其结构简图如图 C-a.

  场效应管是一种单极型晶体管, 它只有一个 P-N 结, 在零偏压的状态下, 它是导通的, 如果在其栅极(G) 和源极(S) 之间加上一个反向偏压(称栅极偏压) 在反向电场作用下 P-N 变厚 (称耗尽区) 沟道变窄, 其漏极电流将变小, (如图 C1-b) , 反向偏压达到一定时, 耗尽区将完全沟道"夹断", 此时, 场效应管进入截止状态如图 C-c, 此时的反向偏压我们称之为夹断电压, 用Vpo 表示, 它与栅极电压Vgs 和漏源电压Vds 之间可近以表示为Vpo=Vps+| Vgs| , 这里| Vgs| 是 Vgs 的绝对值.

FET的结构

  下图是FET简单的的结构示意图(P沟FET是P型半导体部分与N型半导体部分互换)。

  双极晶体管的基极发射极间以及基极集电极间分别是两个PN结,就是说存在着二极管。JFET的栅极与沟道(把输出电路流过漏极源极间的部分称为沟道)间有PN结,所以认为存在着二极管(由于有PN结,所以称为结型FET)。

FET的分类

  如图所示,FET按照结构可以分为结型FET(JFET:JunctionFET)和绝缘栅FET(MOSFET:MetalOxideSemiconductorFET)。

  按照电学特性,MOSFET又可以分为耗尽型(deletion)与增强型(enhancement)两类。它们又可以进一步分为N沟型(与双极晶体管的NPN型相当)和P沟型(与双极晶体管的PNP型相当)。

  从实际FET的型号中完全看不出JFET与MOSFET、耗尽型与增强型的区别。仅仅是N沟器件为2SK×××(也有双栅的3SK×××),P沟器件为2SJ×××,以区别N沟和P沟器件。

FET的极性判断

  将万用表置于R 1K 挡, 用黑表笔接触假定为的栅极G 管脚, 然后用红表笔分别接触另外两个管脚, 若阻值均比较 Jj、 (约 5\10Q) , 再将红黑表笔交挟测量一次. 如阻值大(O) , 说明都是反向电阻(PN 结反向) , 属 N 沟道管, 且黑表笔接触的管为栅极 C, 并说明原先假定是正确的。 再次测量的阻值均很小, 说明是正向电阻, 属于 P 沟道场效应管, 黑表笔所接触的也是栅极 C. 若不出现上述情况, 可以调换红黑表笔, 按上述方法进测试, 直至判断栅极为止. 一般结型效应管的源极与漏极在 制造时是对称的, 所以, 当栅极 G 确定以后, 对于源极 S 漏极 D 不一定要判断, 因为这两个极可以互换使用, 因此没有必要去判别. 源极与漏极之间的电阻约为几千欧。

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